相對于第一代（硅基）半導體，第三代半導體禁帶寬度大，電導率高、熱導率高。第三代半導體的禁帶寬度是第一代和第二代半導體禁帶寬度的近3倍，具有更強的耐高壓、高功率能力。

碳化硅器件在具體應用場景中表現出的特性是:1、耐高溫:硅基材料120°C場景需要散熱，使用SiC在175°C結溫不需要散熱，可承受600°C以上高溫環境。

碳化硅功率器件在高功率高壓領域有廣泛的潛在應用，目前在600-1700V的光伏逆變、工業電源、新能源汽車、數據中心等領域已得到廣泛應用。