大力發展第三代半導體為綠色能源做貢獻
嚴格的質量控制和檢測流程
用芯片點亮綠色能源
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氮化鎵作為高轉換效率寬禁帶半導體材料的代表,基于氮化鎵功率器件開發的快充方案,使用高度集成的氮化鎵功率芯片,可以獲得精簡的外圍電路,僅需搭配幾顆降壓MOS和VBUS開關管即可組成一個方案,有效減少PCB板占板面積和降低主板溫度,有效提升功率密度,使得液晶TV獲得更輕薄的設計和更低的研發成本